报告题目：金刚石半导体的发展与应用

报 告 人：王宏兴 教授

报告时间：2014日11月14日（星期五）下午2:30

报告地点：理学院学术报告厅（实训楼B-522）

参加人员：理学院研究生及教师，欢迎其他学院师生参加！

有关要求：参加人员提前10分钟到场，并关闭手机或设置为静音状态。

研究生院 理学院

2014年11月11日

报告人简介：

王宏兴，西安交通大学教授、博士生导师，宽禁带半导体材料与器件研究中心主任。2001年获日本德岛大学大学院物质工学专攻博士学位；1999年至2003年任日本Nitride Semiconductors Co. Ltd 公司研究员；2003至2004年任日本科学技术振兴机构高级研究员；2004年至2008年任日本Dialight Japan Co. Ltd公司高级研究员、执行董事；2008年至2012年在日本Seki Technotron Corp. 金刚石CVD装置部工艺开发负责人；2008至今任日本高知Kochi FEL Co. Ltd公司技术顾问；2009至今任日本Napra Corp.公司首席顾问。

在日本期间作为高级研究员，团队负责人，技术顾问先后参加和主持了日本通产省，日本学术振兴机构以及日本有关大型公司的重大科研项目和产学研结合项目。回国后主持科技部“863计划”等重大项目。在III-V族半导体薄膜外延生长及发光器件，大面积金刚石衬底及高质量金刚石薄膜外延生长，碳纳米场致发射阴极、场致发射光源及其他场致发射电子器件，MOCVD设计开发、 特殊直流CVD设计开发、微波等离子体CVD的设计开发等领域做出了许多创新性工作。发表文章50余篇，申请日本、美国专利80余项。曾获得电子工业部科技进步二等奖，国家科技进步三等奖。